三星西安厂事故导致NAND价格爆冲22%：亿百体育官方网站

发布时间：2024-05-05  人浏览

本文摘要：因中国大陆、中国台湾智能手机厂商争相增强产品功能、造就记忆体市场需求大幅提高，再加三星电子西安工厂6月因附近逆电厂发生爆炸而一度复工，造就用于于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(FlashMemory)交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内上涨22%。

因中国大陆、中国台湾智能手机厂商争相增强产品功能、造就记忆体市场需求大幅提高，再加三星电子西安工厂6月因附近逆电厂发生爆炸而一度复工，造就用于于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(FlashMemory)交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内上涨22%。　　报导认为，6月份MLC(Multi-LevelCell)类型64GbNAND价格扬升到每个2.75美元、为2年9个月以来首度走升，其中也有部分交易价格多达3美元，且转入7月以来价格仍持续走扬。据英国调查公司认为，2016年全球NAND整体出货量预估将年减3成至多达100亿个。　　据报导，6月中旬三星坐落于西安的半导体工厂因附近逆电厂发生爆炸造成电压严重不足而一度复工，而该座工厂目前虽已重新启动生产，不过据报上述逆电厂爆炸事件目前仍对供应量带给影响。

三星西安工厂主要生产3DNANDFlash。　　韩国媒体朝鲜日报日文版6月20日报导，三星关系人士回应，就像一家人水管裂痕不会导致水压严重不足一样，三星西安工厂部分半导体设备因感测到电压下降、而自动复工，西安工厂半导体生产能力大约10%因此受到影响。

　　BusinessKorea、韩国时报报导，消息人士透漏，小米创办人雷军或将飞抵韩国，会谈三星记忆体部门主管JeonYoung-hyun，预料不会向三星加码订购记忆体。　　近来记忆体容量减小出了业界趋势。

三星GalaxyS7和LGG5都有4GBLPDDR4DRAM和多达20GBNANDflash，小米仍未跟上，因此缓遍寻供应商，推断小米不太可能向三星订购NANDflash。

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